英特尔通过co-EMIB,ODI连接将小芯片概念提升到新的水平

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英特尔的EMIB是Kaby Lake-G与AMD合作的基础。英特尔的Foveros堆叠芯技术生产了即将推出的Lakefield芯片。现在,英特尔正在将EMIB和Foveros结合到它所谓的“co-EMIB”中,以及更先进的ODI接口。

英特尔在一篇博客文章中称,这两项技术将“提高产品级性能,功耗和面积,同时实现对系统架构的全面重新思考”。两者都代表了芯片封装和连接方式的进步,而不是底层芯片或整体微体系结构的变化。

目前还不清楚这两种技术何时会推向市场,或者究竟是什么产品呢?会影响。但是,我们知道EMIB和Fovero是什么已经生产了。 EMIB是2017年AMD和英特尔之间开创性的Kaby Lake-G一次性合作伙伴关系的基础,并向全世界推出了“小芯片”的概念。就其本身而言,Foveros是芯片堆叠技术,将用于即将推出的Lakefield芯片,该芯片将堆叠的Atom和Core芯片结合在一起,用于低功耗应用。

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为什么我们需要EMIB或Foveros?因为将整个系统的芯片填充到单个硅片上太昂贵了。使用o的组合不仅可以更便宜地制造芯片采用硅工艺,但制造缺陷会使巨大的单片模具无法使用。使用高速互连连接在一起的众多更小,更便宜的芯片可能是一种有效的折衷方案。 EMIB和Foveros有助于实现这一目标。

嵌入式多芯片互连桥或EMIB将芯片的I / O引脚扩展到另一芯片的I / O引脚,提供优化的芯片到 - 芯片互连允许芯片封装延伸到两个维度而不会牺牲太多性能。这也是像英特尔这样的设计师通过在较旧,更便宜的技术上制造一些逻辑来节省资金的一种方式,而其他核心可以通过其最新,最快的10nm工艺制造。 EMIB可以将它们捆绑在一起。

2018年,英特尔推出了世界的Foveros堆叠技术,允许芯片垂直延伸。 Foveros可以帮助设计人员将低功耗CPU叠加在另一个之上,甚至可以将内存放在最前面。英特尔在1月份表示,Foveros将成为将Lakefield联系在一起的互连,它在5月份更详细地描述了其作为Sunny Cove和Tremont架构的组合。

英特尔

英特尔描述了Foveros技术在去年年底的运作方式。

Co-EMIB,以及ODI:向上,向下和向外扩展芯片

如果您已了解EMIB和Foveros技术的工作原理,您将更好地了解EMIB如何将两者结合起来。 Co-EMIB允许两个或更多个Foveros元件与essentia的水平互连英特尔表示,单芯片的性能。它还允许选择以高带宽和低功率连接存储器甚至模拟逻辑。想象堆叠的Foveros芯片就像摩天大楼堆叠地板一样; co-EMIB是两种不同Foveros堆栈之间的天桥。

Ashok Prabhakaran / Flickr

英特尔联合EMIB技术的工作方式有点像两个堆叠的Foveros塔之间的天桥。

英特尔也在谈论似乎是Foveros-EMIB组合的优化版本:全向互连或ODI。英特尔表示,“顶级芯片可以与其他小芯片水平通信,类似于EMIB”。 “它还可以与t中的硅通孔(TSV)垂直通信他的基座位于下方,类似于Foveros。“

不同基板层之间的这些大通孔金属连接 - 也可以将功率传递到基板上,无论顶层模具上的逻辑是什么英特尔表示。英特尔使通孔比正常情况更大,允许更多的功率流过,因为电阻更小。

最后,英特尔公开了它所谓的MDIO,一种新的芯片到芯片接口。在Semicon West的一次演示中,英特尔表示MDIO将在2020年推出时提供5.4Gbps的引脚速度。

这对您意味着什么:这些技术都不会直接影响您下一台PC的购买。但它们确实为英特尔的设计提供了更大的灵活性,并通过结合逻辑结合提供了进一步提高性能的选项以新的方式。随着摩尔定律的放缓(虽然对持续改进的需求不大),英特尔及其竞争对手必须创造性地思考。

更新时间为晚上11:33,并附加详细信息。

这个故事,“英特尔将小芯片概念提升到与EMIB,ODI连接的下一个层次”最初由PCWorld 出版。